[인민망 한국어판 12월 22일] 한국 삼성전자는 지난 20일 세계 최소 D램(DRAM) 칩을 연구 제작해 냈으며 세계 최초로 양산할 것이라고 발표했다.

이 칩은 2세대 10나노급(㎚, 1억분의 1미터) 8GB DDR4(Double Data Rate 4) D램이다. 삼성전자는 작년 2월에 1세대 10나노급 D램 칩 양산을 실현했다.

2세대 10나노급 D램 제품은 초고속, 초절전, 초소형 회로 설계 등 최신 공정기술을 채택해 1세대 10나노급보다 속도를 10% 이상 높였고, 전력 소모량을 15% 이상 절감했으며, 생산효율을 30% 이상 높였다고 삼성은 소개했다.

DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 동적 랜덤 엑세스 메모리의 약자이며, 램(RAM)에서 가장 흔히 볼 수 있다. (번역: 이인숙)

원문 출처: 신화사(新華社)